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如何選購光刻膠？

光刻加工工藝中為了圖形轉(zhuǎn)移，輻照必須作用在光刻膠上，通過改變光刻膠材料的性質(zhì)，使得在完成光刻工藝后，光刻版圖形被在圓片的表面。而加工前，如何選用光刻膠在很大程度上已經(jīng)決定了光刻的精度。盡管正性膠的分辨力是的，但實際應(yīng)用中由于加工類型、加工要求、加工成本的考慮，需要對光刻膠進(jìn)行合理的選擇。

劃分光刻膠的一個基本的類別是它的極性。光刻膠在曝光之后，被浸入顯影溶液中。在顯影過程中，正性光刻膠曝過光的區(qū)域溶解得要快得多。理想情況下，未曝光的區(qū)域保持不變。負(fù)性光刻膠正好相反，在顯影劑中未曝光的區(qū)域?qū)⑷芙猓毓獾膮^(qū)域被保留。正性膠的分辨力往往是的，因此在IC制造中的應(yīng)用更為普及，但MEMS系統(tǒng)中，由于加工要求相對較低，光刻膠需求量大，負(fù)性膠仍有應(yīng)用市場。

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微流控芯片硅片模具加工如何選擇光刻膠呢？

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一般來說線寬的用正膠,線窄的用負(fù)膠，正性光刻膠比負(fù)性的精度要高，負(fù)膠顯影后圖形有漲縮，負(fù)性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優(yōu)于0.5μm 導(dǎo)致影響精度，正性膠則無這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負(fù)性膠的分辨率，但是薄負(fù)性膠會影響。同種厚度的正負(fù)膠，在對于抗?jié)穹ê透g性方面負(fù)膠更勝一籌，正膠難以企及。

光刻是整個集成電路制造過程中耗時長、難度大的工藝，耗時占IC制造50%左右，成本約占IC生產(chǎn)成本的1/3。光刻膠是光刻過程重要的耗材，光刻膠的質(zhì)量對光刻工藝有著重要影響。

光刻是將圖形由掩膜版上轉(zhuǎn)移到硅片上，為后續(xù)的刻蝕步驟作準(zhǔn)備。在光刻過程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經(jīng)紫外線曝光后，光刻膠的化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化，在通過顯影后，被曝光的光刻膠將被去除，從而實現(xiàn)將電路圖形由掩膜版轉(zhuǎn)移到光刻膠上。再經(jīng)過刻蝕過程，實現(xiàn)電路圖形由光刻膠轉(zhuǎn)移到硅片上。在刻蝕過程中，光刻膠起防腐蝕的保護(hù)作用。

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光刻膠分類

根據(jù)化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和顯影原理的不同，光刻膠可以分為負(fù)性膠和正性膠。對某些溶劑可溶，但經(jīng)曝光后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠;反之，對某些溶劑不可溶，經(jīng)曝光后變成可溶的為正性膠。

從需求端來看，光刻膠可分為半導(dǎo)體光刻膠、面板光刻膠和PCB光刻膠。其中，半導(dǎo)體光刻膠的技術(shù)壁壘較高。

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