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磁控濺射鍍膜機工藝

關鍵工藝參數的優化

關鍵工藝參數的優化基于實驗探索。實驗是在自制的雙室直流磁控濺射鍍膜設備上進行的。由于鍍膜室為立式容器，所以它具有臥式鍍膜機的一切優點，又利于自重較大的、易碎的鍍件裝卡，更可方便地實現自動生產線，是替代傳統濕法水電鍍的更為理想的新一代真空鍍膜設備。該設備的鍍膜室采用內腔尺寸為6700mm ×800mm ×2060mm的箱式形狀,抽氣系統采用兩套K600 擴散泵機組,靶材采用德國Leybold 公司生產的陶瓷靶,ITO 薄膜基底是尺寸為1000mm ×500mm ×5mm 的普通浮法玻璃。

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（1）技術方案 磁控濺射鍍光學膜，有以下三種技術路線： （a）陶瓷靶濺射：靶材采用金屬化合物靶材，可以直接沉積各種氧化物或者氮化物，有時候為了得到更高的膜層純度，也需要通入一定量反應氣體）； （b）反應濺射：靶材采用金屬或非金屬靶，通入稀有和反應氣體的混合氣體，進行濺射沉積各種化合物膜層。 （c）離子輔助沉積：先沉積一層很薄的金屬或非金屬層，然后再引入反應氣體離子源，將膜層進行氧化或者氮化等。目前沒有見到對磁控濺射靶材利用率專門或系統研究的報道，而從理論上對磁控濺射靶材利用率近似計算的探討具有實際意義。 采用以上三種技術方案，在濺射沉積光學膜時，都會存在靶zhong毒現象，從而導致膜層沉積速度非常慢，對于上節介紹各種光學膜來說，膜層厚度較厚，膜層總厚度可達數百納米。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本，從而限制了磁控濺射鍍膜在光學上的應用。

（2）新型反應濺射技術 筆者對現有反應濺射技術方案進行了改進，開發出新的反應濺射技術，解決了鍍膜沉積速度問題，同時膜層的純度達到光學級別要求。表2.1是采用新型反應濺射沉積技術，膜層沉積速度對比情況。

淺析磁控濺射鍍膜儀鍍膜優勢

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我們知道每一種鍍膜方式的不同都有不一樣的差異，這處理根據鍍膜的方式不同之外，還跟所鍍的材料有關系，這種差別我們很難看出來，因為根據目前的鍍膜行業中的一些gao端設備，比如說磁控濺射鍍膜儀，都是屬于比較精細的一種鍍膜機械。

那么在現今的發達科技中，磁控濺射鍍膜儀鍍膜有哪些優勢呢？下面小編來深入的分析一下：

磁控濺射鍍膜設備所鍍的膜穩定性好，這是因為其膜不僅厚，而且所生成的時候非常穩定，另外還根據濺射電流來控制。我們知道電流越大，這種設備的濺射率也就相對的變大，這也是磁控濺射鍍膜設備非常穩定的一個因素。

另外采用磁控濺射鍍膜設備來生成膜層，不管鍍多少次膜，他所鍍出來的膜厚度基本上是一樣的，而且非常穩定。

從上述淺析中，我們不難發現磁控濺射鍍膜設備的優勢，其實就是在于穩定，這也是目前一些精細產品鍍膜選擇這種設備的原因。

直流濺射法

濺射過程中涉及到復雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發生彈性碰撞，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子；一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點，而上世紀70年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、低溫、低損傷。某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘（對于金屬是5-10 eV），從而從晶格點陣中被碰撞出來，產生離位原子；這些離位原子進一步和附近的原子依次反復碰撞，產生碰撞級聯；當這種碰撞級聯到達靶材表面時，如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結合能（對于金屬是1-6eV），這些原子就會從靶材表面脫離從而進入真空。