創世威納(多圖)-磁控濺射裝置

磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事，一般的影響因素是什么？

靶zhong毒的影響因素  

影響靶zhong毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例，反應氣體過量就會導致靶zhong毒。反應濺射工藝進行過程中靶表面濺射溝道區域內出現被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應氣體量增加，磁控濺射裝置，化合物生成率增加。如果反應氣體量增加過度，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時調整反應氣體流量，化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制，濺射溝道將進一步被化合物覆蓋，當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候，靶完全zhong毒。

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磁控濺射技術鍍膜

磁控濺射技術鍍膜是一種重要的物理的氣相沉積鍍膜技術，這種工藝可工業化批量生產。本文重點探討了磁控濺射在光學鍍膜中的應用，包括膜層設計和鍍膜工藝。

光學鍍膜設計

（1）減反射膜

減反射也稱增透膜，這種膜主要鍍在透明低折射率基底上，如玻璃上鍍減反射膜，常見的膜層結構采用高、低折射率膜層疊加而成

（2）彩色鍍膜 彩色鍍膜主要也是在玻璃等透明基底上鍍膜，其膜層材料和結構類似減反射鍍膜。這種玻璃在可見光下透射和反射的顏色不同。

3）漸變反射膜 漸變反射膜是一種在不同角度觀察，反射的顏色不同的膜層。這種膜層可以鍍在玻璃，也可以鍍在金屬基底。

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濺射原理

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1.1 濺射定義

就像往平靜的湖水里投入石子會濺起水花一樣，用高速離子轟擊固體表面使固體中近表面的原子（或分子）從固體表面逸出，這種現象稱為濺射現象。

1.2 濺射的基本原理

濺射是指具有足夠高能量的粒子轟擊固體表面使其中的原子發射出來。早期人們認為這一現象源于靶材的局部加熱。但是不久人們發現濺射與蒸發有本質區別，并逐漸認識到濺射是轟擊粒子與靶粒子之間動量傳遞的結果。

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