負(fù)性光刻膠

負(fù)性光刻膠

    負(fù)性光刻膠分為粘性增強負(fù)性光刻膠、加工負(fù)性光刻膠、剝離處理用負(fù)性光刻膠三種。

    A、粘性增強負(fù)性光刻膠

    粘性增強負(fù)膠的應(yīng)用是在設(shè)計制造中替代基于聚異戊二烯雙疊氮的負(fù)膠。粘性增強負(fù)膠的特性是在濕刻和電鍍應(yīng)用時的粘附力；很容易用光膠剝離器去除，厚度范圍是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波長曝光。

    粘性增強負(fù)膠對生產(chǎn)量的影響，消除了基于溶液的顯影和基于溶液沖洗過程的步驟。二、預(yù)烘和底膠涂覆（Pre-bakeandPrimerVapor）由于光刻膠中含有溶劑，所以對于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。優(yōu)于傳統(tǒng)正膠的優(yōu)勢：控制表面形貌的優(yōu)異帶寬、任意甩膠厚度都可得到筆直的側(cè)壁、具有一次旋涂即可獲得100 μm甩膠厚度、厚膠層同樣可得到優(yōu)越的分辨率、150 ℃軟烘烤的應(yīng)用可縮短烘烤時間、優(yōu)異的光速度進(jìn)而增強曝光通量、更快的顯影，100 μm的光膠顯影僅需6 ～ 8分鐘、光膠曝光時不會出現(xiàn)光膠氣泡、可將一個顯影器同時應(yīng)用于負(fù)膠和正膠、不必使用粘度增強劑。

    i線曝光用粘度增強負(fù)膠系列：NP9–250P、NP9–1000P、NP9–1500P、NP9–3000P、NP9–6000P、NP9–8000、NP9–8000P、NP9–20000P。

    g和h線曝光用粘度增強負(fù)膠系列：NP9G–250P、NP9G–1000P、NP9G–1500P、NP9G–3000P、NP9G–6000P、NP9G–8000。

    B、加工負(fù)膠

    加工負(fù)膠的應(yīng)用是替代用于RIE加工及離子植入的正膠。加工負(fù)膠的特性在RIE加工時優(yōu)異的選擇性以及在離子植入時優(yōu)異的溫度阻抗，厚度范圍是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波長曝光。

    加工負(fù)膠優(yōu)于正膠的優(yōu)勢是控制表面形貌的優(yōu)異帶寬、任意甩膠厚度都可得到筆直的側(cè)壁、具有一次旋涂即可獲得100 μm甩膠厚度、厚膠層同樣可得到優(yōu)越的分辨率、150 ℃軟烘烤的應(yīng)用可縮短烘烤時間、優(yōu)異的光速度進(jìn)而增強曝光通量、更快的顯影，100 μm的光膠顯影僅需6 ～ 8分鐘、光膠曝光時不會出現(xiàn)光膠氣泡、可將一個顯影器同時應(yīng)用于負(fù)膠和正膠、優(yōu)異的溫度阻抗直至180 ℃、在反應(yīng)離子束刻蝕或離子減薄時非常容易地增加能量密度，從而提高刻蝕速度和刻蝕通量、非常容易進(jìn)行高能量離子減薄、不必使用粘度促進(jìn)劑。正膠的圖像與掩模板的圖像是一致的，故此叫正膠，利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。

    用于i線曝光的加工負(fù)膠系列：NR71-250P、NR71-350P、NR71-1000P、NR71-1500P、NR71-3000P、NR71-6000P、NR5-8000。

下游發(fā)展趨勢

光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%到50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場巨大。品牌產(chǎn)地型號厚度曝光應(yīng)用加工特性Futurrex美國NR71-1000PY0。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的核心材料。2016年全球半導(dǎo)體用光刻膠及配套材料市場分別達(dá)到14.5億美元和19.1億美元，分別較2015年同比增長9.0%和8.0%。預(yù)計2017和2018年全球半導(dǎo)體用光刻膠市場將分別達(dá)到15.3億美元和15.7億美元。隨著12寸先進(jìn)技術(shù)節(jié)點生產(chǎn)線的興建和多次曝光工藝的大量應(yīng)用，193nm及其它先進(jìn)光刻膠的需求量將快速增加

NR77-20000PMSDS

光刻膠運輸標(biāo)識及注意事項

標(biāo)簽上標(biāo)明的意思

R標(biāo)識

R10 YI燃。

S標(biāo)識

S16  遠(yuǎn)離火源-禁止吸煙。

S 24 避免接觸皮膚。

S 33對靜電放電采取預(yù)防措施。

S 9  將容器保持在通風(fēng)良好的地方。

水生毒性

通過自然環(huán)境中的化學(xué)、光化學(xué)和微生物降解來分解。一般不通過水解降解。300 ppm對水生生物是安全的。鹵化反應(yīng)可能發(fā)生在水環(huán)境中。

PR1-1000A1

NR9-3000PY 負(fù)性光刻膠

負(fù)膠 NR9-3000PY 被設(shè)計用于i 線（365 nm）曝光，可使用如步進(jìn)光刻、掃描投影式光刻、接近式光刻

和接觸式光刻等工具。

顯影之后，NR9-3000PY 展現(xiàn)出一種倒梯形側(cè)壁，這可以方便地作單純的LIFT-OFF 處理。

NR9-3000PY 相對于其他光刻膠具有如下優(yōu)勢：

- 優(yōu)異的分辨率性能

- 快速地顯影

- 可以通過調(diào)節(jié)曝光能量很容易地調(diào)節(jié)倒梯形側(cè)壁的角度

- 耐受溫度100℃

- 室溫儲存保質(zhì)期長達(dá)3 年

Lift-Off工藝

應(yīng)用領(lǐng)域：LEDs，OLEDs，displays，MEMS，packaging，biochips。

濕法蝕刻，鍍 干法蝕刻（RIE/Ion Milling/Ion implantation）

附著力好Temperature resistance = 100°C 耐高溫Temperature resistance = 180°C

Resist Thickness NR9-3000PY 負(fù)性光刻膠

負(fù)膠 NR9-3000PY 被設(shè)計用于i 線（365

nm）曝光，可使用如步進(jìn)光刻、掃描投影式光刻、接近式光刻