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反應燒結法(RS)是采用一般成型法

反應燒結法（ RS)

是采用一般成型法，先將硅粉壓制成所需形狀的生坯，放入氮化爐經預氮化（部分氮化）燒結處理，預氮化后的生坯已具有一定的強度，可以進行各種機械加工（如車、刨、銑、鉆).。然后，在硅熔點的溫度以上；將生坯再一次進行完全氮化燒結，得到尺寸變化很小的產品（即生坯燒結后，收縮率很小，線收縮率< 011% ). 該產品一般不需研磨加工即可使用。氣壓燒結法（GPS)近幾年來,人們對氣壓燒結進行了大量的研究，獲得了很大的進展。反應燒結法適于制造形狀復雜，尺寸正常的零件，成本也低，但氮化時間很長。

氣壓燒結法(GPS)獲得很大的進展

氣壓燒結法（ GPS)

近幾年來,人們對氣壓燒結進行了大量的研究，獲得了很大的進展。氣壓燒結氮化硅在1 ～10MPa氣壓下，2000℃左右溫度下進行。反應燒結法（RS)是采用一般成型法，先將硅粉壓制成所需形狀的生坯，放入氮化爐經預氮化（部分氮化）燒結處理，預氮化后的生坯已具有一定的強度，可以進行各種機械加工（如車、刨、銑、鉆)。高的氮氣壓控制了氮化硅的高溫分解。由于采用高溫燒結，在添加較少燒結助劑情況下，也足以促進Si3N4晶粒生長，而獲得密度> 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結無論在實驗室還是在生產上都得到越來越大的重視. 氣壓燒結氮化硅陶瓷具有高韌性、高強度和好的耐磨性，可直接制取接近終形狀的各種復雜形狀制品，從而可大幅度降低生產成本和加工費用. 而且其生產工藝接近于硬質合金生產工藝，適用于大規模生產。

硅粉中含有許多雜質，如Fe，Ca，Aì，Ti等。Fe被認為是反應過程中的催化劑。它能促進硅的擴散，但同時，也將造成氣孔等缺陷。用PECVD法鍍氮化硅膜后，不但能作為減反射膜可減小入射光的反射，而且，在氮化硅薄膜的沉積過程中，反應產物氫原子進入氮化硅薄膜以及硅片內，起到了鈍化缺陷的作用。Fe作為添加劑的主要作用：在反應過程中可作催化劑，促使制品表面生成SiO2氧化膜；形成鐵硅熔系，氮溶解在液態FeSi2中，促進β-Si3N4的生成。但鐵顆粒過大或含量過高，制品中也會出現氣孔等缺陷，降低性能。一般鐵的加入量為0～5%。Al，Ca，Ti等雜質，易與硅形成低共熔物。適當的添加量，可以促進燒結，提高制品的性能。