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脈沖激光沉積系統配置介紹

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脈沖激光沉積系統配置：

生長室，進樣室可選水平、垂直兩種靶臺可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺可選，激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓RHEED，工作氣壓可達100Pa可預留法蘭，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可選項如臭氧發生器，離子源，掩膜系統等。想要了解更多脈沖激光沉積的相關資訊，歡迎撥打圖片上的熱線電話。

脈沖激光沉積介紹

脈沖激光沉積，是一種用途廣泛的薄膜沉積技術。脈沖激光快速蒸發靶材，生成與靶材組成相同的薄膜。只要凝結率比受濺射粒子的釋放率高，熱平衡狀況便能夠快速達到，由於熔化粒子流減弱，膜便能在基片表面生成。PLD 的獨特之處是能量源（脈沖激光）位于真空室的外面。這樣，在材料合成時，工作壓力的動態范圍很寬，達到10-10 Torr ~ 100 Torr。通過控制鍍膜壓力和溫度，可以合成一系列具有獨特功能的納米結構和納米顆粒。

另外，PLD 是一種“數字”技術，在納米尺度上進行工藝控制（A°/pulse）。

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