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    新能源汽車專用IGBT測試儀價格廠家直供 華科功率器件測試儀

    發布時間:2021-04-04 08:58  

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    測量目的:對模塊的電壓降參數進行檢測, 可判斷模塊是否處于正常狀態。 功率模塊的VCE-IC特性曲線會隨著器件使用年限的增加而變化,飽和壓降Vcesat會逐漸劣化。因此,定期檢測可預防發現功率模塊故障。且變流器由多個模塊組成,由于個體差異,大電流情況下的參數也會存在個體差異。因此,測量大電流情況下的各個模塊實際技術參數,進行跟蹤管理,可有效保障機車中間直流環節可靠運行。負載電感 配備自動切換開關,可分別接通不同電感值,由計算機控制自動接通。 IGBT模塊VCE-IC特線(單管),Vcesat隨電流變大而增大。


    測試的IGBT參數包括:ICES(漏流)、BVCES(耐壓)、IGESF(正向門極漏流)、IGESR(反向門極漏流)、VGETH(門檻電壓/閾值)、VGEON(通態門極電壓)、VCESAT(飽和壓降)、ICON(通態集極漏流)、VF(二極管壓降)、GFS(跨導)、rCE(導通電阻)等全直流參數, 所有小電流指標保證1%重復測試精度, 大電流指標保證2%以內重復測試精度。集成VGA顯示接口、4個PCI接口、6個串口、6個ΜSB接口等。

    半導體元件全自動測試系統,可以元件在真正工作狀態下的電流及電壓,并測量重要參數的數據,再與原出廠指標比較,由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個電流模塊,都具有獨立的供電系統,以便在測試時,提供內部電路及電池組充電之用;01uA 集電極電壓VCE: 0V 柵極電壓Vge: 0-40V±3%±0。 可選購外部高壓模塊,執行關閉狀態參數測試如:各項崩潰電壓與漏電流測量達2KV。


    目的和用途 該設備用于功率半導體模塊(IGBT、FRD、肖特基二極管等)的動態參數測試,以表征器件的動態特性,通過測試夾具的連接,實現模塊的動態參數測試。凡是半導體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATEDGATEB。 1.2 測試對象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導體模塊 2.測試參數及指標 2.1開關時間測試單元技術條件 開通時間測試參數: 1、開通時間ton:5~2000ns±3%±3ns 2、開通延遲時間td(on):5~2000ns±3%±3ns 3、上升時間tr:5~2000ns±3%±3ns 4、開通能量: 0.2~1mJ±5%±0.01mJ 1~50mJ±5%±0.1mJ 50~100mJ±5%±1mJ 100~500mJ±5%±2mJ 5、開通電流上升率di/dt測量范圍:200-10000A/uS 6、開通峰值功率Pon:10W~250kW


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