NR9 3000P光刻膠公司推薦廠家【賽米萊德】

芯片光刻的流程詳解（一）

在集成電路的制造過程中，有一個重要的環節——光刻，正因為有了它，我們才能在微小的芯片上實現功能?，F代刻劃技術可以追溯到190年以前，1822年法國人Nicephore niepce在各種材料光照實驗以后，開始試圖復一種刻蝕在油紙上的印痕（圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經過2、3小時的日曬，透光部分的瀝青明顯變硬，而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。四、對準（Alignment）光刻對準技術是曝光前一個重要步驟作為光刻的三大核心技術之一，一般要求對準精度為最細線寬尺寸的1/7---1/10。通過用強酸刻蝕玻璃板，Niepce在1827年制作了一個d’Amboise主教的雕板相的產品。

Niepce的發明100多年后，即第二次大戰期間才應用于制作印刷電路板，即在塑料板上制作銅線路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶體管，當時分辨率5um，如今除可見光光刻之外，更出現了X-ray和荷電粒子刻劃等更高分辨率方法。彩色薄膜少了光刻膠，產生不了絢麗的畫面顯示器是人與機器溝通的重要界面。

NR9-3000PYNR9 3000P光刻膠公司

2,涂膠，在硅片覆蓋，旋轉，離心力，在硅片表面通過旋轉的光刻膠，工藝參數3000-6000rpm   膠膜厚0.5-1um， 

3,前烘，通過在較高溫度下進行烘焙，使存底表面涂覆的光刻膠膜的溶劑揮發，溶劑將至5%左右，同時增強與襯底的粘附性。前烘方法：熱平板傳導，干燥循環熱風提高附著力，紅外線輻射。

烘箱前烘條件：90-100度，10-20min，前烘時間與溫度應適當，如太長或溫度太高，光刻膠層變脆而附著力下降，而前烘不足會影響后面的顯影效果。

NR77-5000PY

PR1-2000A1 試驗操作流程

PR1-2000A1的厚度范圍可以做到 1500到3500nm，如下以膜厚2900nm為列；

1,靜態滴膠后以1300轉/分速度持續40秒。同時必須需要在1秒內達到從0轉/分到1300轉/分的升速度；

2，前烘：熱板120度120秒；

3，冷卻至室溫；

4，用波長為365,406,436的波長曝光，

5，在溫度為20-25度，使用RD6浸泡式、噴霧、顯影 ；

6，去除光刻膠，可使用CH3COCH3，RR5,RR41等。

PC6-16000

NR9-3000PY 相對于其他光刻膠具有如下優勢：

- 優異的分辨率性能

- 快速地顯影

- 可以通過調節曝光能量很容易地調節倒梯形側壁的角度

- 耐受溫度100℃

- 室溫儲存保質期長達3 年

NR9-1000PY 0.7μm - 2.1μm

NR9-1500PY 1.1μm - 3.1μm

NR9-3000PY 2.1μm - 6.3μm

NR9-6000PY 5.0μm -

12.2μm  

Resist Thickness

NR71-1000PY 0.7μm - 2.1μm

NR71-1500PY 1.1μm - 3.1μm

NR71-3000PY 2.1μm - 6.3μm

NR71-6000PY 5.0μm - 12.2μm