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發布時間：2021-10-22 02:37
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電子元器件產業三年內要有大變化
著眼于推進我國基礎電子元器件產業基礎化與產業鏈現代化，1月29日，印發《基礎電子元器件產業發展行動計劃（2021-2023年）》（下文簡稱《行動計劃》）。
該“三年行動計劃”將技術前沿、前景廣闊、牽引性強的智能終端、5G、工業互聯網、數據中心、新
能源汽車等關鍵市場著重圈出。
“無器件，不產品”，不需要電子元器件的場景已不存在。
就像建房要用到一磚一瓦，電子元器件隱身于整機產品中，已滲透至國民經濟各角落和社會生活各方面，廣泛應用于智能終端、汽車電子、5G通信、物聯網以及航空航天、能源交通、軍事裝備等領域，成為支撐信息技術產業發展的基石，保障產業鏈供應鏈安全穩定的關鍵。
量大面廣的電子元器件如同現代工業的糧食，電子信息技術強國均予以高度重視。
《行動計劃》設立的總體目標為，“到2023年，競爭力進一步增強，產業鏈安全供應水平顯著提升，重要行業的基礎電子元器件產品實現突破，配套供應鏈基本健全”。
中國電子信息產業發展研究院副院長黃子河介紹，針對產業規模、技術創新、企業發展三個方向，《行動計劃》提出了具體目標。分別為，爭取到2023年，電子元器件行業銷售總額達到2.1萬億元的產業規模，進一步鞏固我國的電子元器件大國地位；關鍵產品技術取得突破，爭取在射頻濾波器、高速連接器、多層陶瓷電容器等產品領域技術取得重大進展，布局更加完善；培育一批大型企業，爭取銷售規模達到百億元的企業數量達到15家以上，涌現出一批專精特新“小巨人”企業和制造業單項企業。
《行動計劃》指向重大產業發展急需、應用前景較為明朗、有望取得階段性突破的若干重點電子元器件產品。特別針對智能終端市場、5G、新能源汽車和智能網聯汽車市場等技術前沿、前景廣闊、牽引性強的領域。
談論熱門的太赫茲芯片
在太赫茲芯片相關的基礎設施方面，與太赫茲技術相關的芯片通常采用成熟的工藝，比如今年 ISSCC的八篇，全部采用28 nm和以前的工藝(大部分采用65 nm工藝)，這是因為先進工藝的器件特性對于太赫茲技術來說并不是很大。他說：“我們預計，未來太赫茲芯片的芯片工藝將逐漸向28 nm轉移，但不能使用16 nm以下。其結果是，中國的太赫茲芯片不受半導體工藝的限制。
但在半導體工藝之外，中國在太赫茲芯片領域的基礎設施在 EDA領域落后。目前太赫茲 EDA主要利用 Ansys的 HFSS做無源器件(以及波導)模擬，同時將電路級有源器件的常用模擬 Cadence的 SpectreRF集成起來。這方面，中國的 EDA技術與世界水平相比還有不少差距。
在太赫茲芯片設計領域，中科院上海微系統所、中電38所、50所等科研機構都有相關投入。另外，在太赫茲芯片商用化領域，一些中國的創業公司也正在努力。舉例來說，以太赫茲安檢成像技術為主導的新公司微度芯創公司，已有80 GHz雷達芯片量產，160 GHz雷達芯片已完成驗證，240 GHz雷達芯片正在設計中，預計在未來幾年內其產品將會進入下一代基于太赫茲成像的高通量安檢產品，值得我們期待。當太赫茲技術進一步成熟時，我們相信中國的相關芯片領域也會越來越多。這個領域并非完全陌生，很多設計技巧和毫米波電路和系統都可以說是一脈相承的，除此之外，中國還有很大的安全檢測市場，所以我們認為中國在未來太赫茲芯片設計領域將會世界的潮流。
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