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化學氣相沉積技術的使用

生產晶須：

晶須屬于一種以為發(fā)育的單晶體，它在符合材料范疇中有著很大的作用，能夠用于生產一些新型復合材料。 化學氣相沉積法在生產晶須時使用的是金屬鹵化物的氫還原性質。化學氣相沉積法不但能制備出各類金屬晶須，同時也能生產出化合物晶須，比如氧化鋁、金剛砂、碳化鈦晶須等等。此外，也有一些在未來有可能發(fā)展成開關以及存儲記憶材料，例如氧化銅-氧化銅等都可以使用化學氣相沉積法進行生產。

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等離子體化學氣相沉積

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等離子體化學氣相沉積簡稱PCVD，是一種用等離子體激發(fā)反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態(tài)膜的技術。等離子體化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應氣體，利用等離子體放電，使反應氣體激發(fā)并實現化學氣相沉積的技術。它在金屬單晶薄膜的制備上也比較常見（比如制備W、Mo、Pt、Ir等）以及個別的化合物單晶薄膜（例如鐵酸鎳薄膜、釔鐵石榴石薄膜、鈷鐵氧體薄膜等）。

等離子體化學氣相沉積原理及特點

原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，基體浸沒在等離子體中或放置在等離子體下方，吸附在基體表面的反應粒子受高能電子轟擊，結合鍵斷裂成為活性粒子，化學反應生成固態(tài)膜。沉積時，基體可加熱，亦可不加熱。工藝過程包括氣體放電、等離子體輸運，氣態(tài)物質激發(fā)及化學反應等。主要工藝參數有：放電功率、基體溫度、反應壓力及源氣體成分。主要特點是可顯著降低反應溫度，已用于多種薄膜材料的制備。等離子刻蝕檢驗原理為冷熱探針法，具體方法如下：熱探針和N型半導體接觸時，傳導電子將流向溫度較低的區(qū)域，使得熱探針處電子缺少，因而其電勢相對于同一材料上的室溫觸點而言將是正的。

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等離子體增強化學氣相沉積的主要過程

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等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）技術是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質發(fā)生化學反應，從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。由于PECVD技術是通過應氣體放電來制備薄膜的，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式。5)利用調節(jié)沉積的參數，可以有效地控制覆層的化學成分、形貌、晶體結構和晶粒度等。一般說來,采用PECVD技術制備薄膜材料時，薄膜的生長主要包含以下三個基本過程：

首先，在非平衡等離子體中，電子與反應氣體發(fā)生初級反應，使得反應氣體發(fā)生分解，形成離子和活性基團的混合物；

其二，各種活性基團向薄膜生長表面和管壁擴散輸運，同時發(fā)生各反應物之間的次級反應；

然后，到達生長表面的各種初級反應和次級反應產物被吸附并與表面發(fā)生反應，同時伴隨有氣相分子物的再放出。