NR9 3000P光刻膠價格推薦貨源「多圖」

發布時間：2021-06-15 05:54

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負性光刻膠

負性光刻膠分為粘性增強負性光刻膠、加工負性光刻膠、剝離處理用負性光刻膠三種。

A、粘性增強負性光刻膠

粘性增強負膠的應用是在設計制造中替代基于聚異戊二烯雙疊氮的負膠。粘性增強負膠的特性是在濕刻和電鍍應用時的粘附力；很容易用光膠剝離器去除，厚度范圍是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波長曝光。

粘性增強負膠對生產量的影響，消除了基于溶液的顯影和基于溶液沖洗過程的步驟。二、預烘和底膠涂覆（Pre-bakeandPrimerVapor）由于光刻膠中含有溶劑，所以對于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。優于傳統正膠的優勢：控制表面形貌的優異帶寬、任意甩膠厚度都可得到筆直的側壁、具有一次旋涂即可獲得100 μm甩膠厚度、厚膠層同樣可得到優越的分辨率、150 ℃軟烘烤的應用可縮短烘烤時間、優異的光速度進而增強曝光通量、更快的顯影，100 μm的光膠顯影僅需6 ～ 8分鐘、光膠曝光時不會出現光膠氣泡、可將一個顯影器同時應用于負膠和正膠、不必使用粘度增強劑。

i線曝光用粘度增強負膠系列：NP9–250P、NP9–1000P、NP9–1500P、NP9–3000P、NP9–6000P、NP9–8000、NP9–8000P、NP9–20000P。

g和h線曝光用粘度增強負膠系列：NP9G–250P、NP9G–1000P、NP9G–1500P、NP9G–3000P、NP9G–6000P、NP9G–8000。

B、加工負膠

加工負膠的應用是替代用于RIE加工及離子植入的正膠。加工負膠的特性在RIE加工時優異的選擇性以及在離子植入時優異的溫度阻抗，厚度范圍是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波長曝光。

加工負膠優于正膠的優勢是控制表面形貌的優異帶寬、任意甩膠厚度都可得到筆直的側壁、具有一次旋涂即可獲得100 μm甩膠厚度、厚膠層同樣可得到優越的分辨率、150 ℃軟烘烤的應用可縮短烘烤時間、優異的光速度進而增強曝光通量、更快的顯影，100 μm的光膠顯影僅需6 ～ 8分鐘、光膠曝光時不會出現光膠氣泡、可將一個顯影器同時應用于負膠和正膠、優異的溫度阻抗直至180 ℃、在反應離子束刻蝕或離子減薄時非常容易地增加能量密度，從而提高刻蝕速度和刻蝕通量、非常容易進行高能量離子減薄、不必使用粘度促進劑。正膠的圖像與掩模板的圖像是一致的，故此叫正膠，利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。

用于i線曝光的加工負膠系列：NR71-250P、NR71-350P、NR71-1000P、NR71-1500P、NR71-3000P、NR71-6000P、NR5-8000。

下游發展趨勢

光刻膠的質量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關鍵因素。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%到50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場巨大。品牌產地型號厚度曝光應用加工特性Futurrex美國NR71-1000PY0。因此光刻膠是半導體集成電路制造的核心材料。2016年全球半導體用光刻膠及配套材料市場分別達到14.5億美元和19.1億美元，分別較2015年同比增長9.0%和8.0%。預計2017和2018年全球半導體用光刻膠市場將分別達到15.3億美元和15.7億美元。隨著12寸先進技術節點生產線的興建和多次曝光工藝的大量應用，193nm及其它先進光刻膠的需求量將快速增加

NR77-20000PMSDS

光刻膠運輸標識及注意事項

標簽上標明的意思

R標識

R10 YI燃。

S標識

S16 遠離火源-禁止吸煙。

S 24 避免接觸皮膚。

S 33對靜電放電采取預防措施。

S 9 將容器保持在通風良好的地方。

水生毒性

通過自然環境中的化學、光化學和微生物降解來分解。一般不通過水解降解。300 ppm對水生生物是安全的。鹵化反應可能發生在水環境中。