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發布時間:2021-10-16 06:51  
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LEB前沿消隱時間設短了,比尖峰脈沖的時間還短,那就沒有效果了還是會誤判;如果設長了,真正的過流來了起不到保護的作用。 Rcs與Ccs的RC值不可超過1NS的Delay,否則輸出短路時,Vds會比滿載時還高,超過MOSFET耐壓就可能造成炸機。 經驗值1nS的Delay約等于1K對100PF,也等于100R對102PF 16.畫小板時,在小板引腳的90度拐角處增加一個圓形鉆孔。理由:方便組裝 如圖: 實物如圖: 實際組裝如圖: 這樣做可以使小板與PCB大板之間緊密貼合,不會有浮高現象 17.電路設計,肖特基的散熱片可以接到輸出正極線路,這樣鐵封的肖特基就不用絕緣墊和絕緣粒 18.電路調試,15W以上功率的RCD吸收不要用1N4007,因為1N4007速度慢300uS,壓降也大1.3V,老化過程中溫度很高,容易失效造成炸機 19.電路調試,輸出濾波電容的耐壓致少需符合1.2倍余量,避勉量產有損壞現象。
如反激一次側的高壓MOS的D、S之間距離,依據公式500V對應0.85mm,DS電壓在700V以下是0.9mm,考慮到污染和潮濕,一般取1.2mm 54.如果TO220封裝的MOS的D腳串了磁珠,需要考慮T腳增加安全距離。 之前碰到過炸機現象,增加安全距離后解決了,因為磁珠容易沾上殘留物 55.發一個驗證VCC的土方法,把產品放低溫環境(冰箱)幾分鐘,測試VCC波形電壓有沒有觸發到芯片欠壓保護點。 小公司設備沒那么全,有興趣的可以做個對比,看看VCC差異有多大關于VCC圈數的設計需要考慮很多因素 56.在變壓器底部PCB加通風孔,有利于散熱,小板也一樣,要考慮風路。