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發布時間：2021-10-16 07:35
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磁控濺射的種類介紹
磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氣產生離子的概率。所產生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。
靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結合力強。平衡靶源多用于半導體光學膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控濺射原理：電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與原子發生碰撞，電離出大量的離子和電子，電子飛向基片。磁控陰極按照磁場位形分布不同，大致可分為平衡態磁控陰極和非平衡態磁控陰極。平衡態磁控陰極內外磁鋼的磁通量大致相等，兩極磁力線閉合于靶面，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近，增加了碰撞幾率，提高了離化效率，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電，靶材利用率相對較高。
但由于電子沿磁力線運動主要閉合于靶面，基片區域所受離子轟擊較小。非平衡磁控濺射技術，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內磁極，兩極磁力線在靶面不完全閉合，部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區域，從而部分電子可以沿著磁力線擴展到基片，增加基片磁控濺射區域的等離子體密度和氣體電離率。不管平衡還是非平衡，若磁鐵靜止，其磁場特性決定了一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率，可采用旋轉磁場。另外，在設備結構設計方面，磁控濺射過程中，需要基材與靶材保持同軸，如果旋轉、直線運行的話，也要同軸旋轉、直線運行。但旋轉磁場需要旋轉機構，同時濺射速率要減小。旋轉磁場多用于大型或貴重靶，如半導體膜濺射。對于小型設備和一般工業設備，多用磁場靜止靶源。
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濺射鍍膜的特點
濺射就是從靶表面撞擊出原子物質的過程。濺射產生的原子或分子沉積到基體(零件)表面的過程就是濺射鍍膜。
濺射鍍膜與真空鍍膜相比,有如下特點:
1.任何物質都可以濺射, 尤其是高熔點金屬、低蒸氣壓元素和化合物;
2.濺射薄膜與襯底的附著性好;
3.濺射鍍膜的密度高,孔少,膜層純度高;
4.膜層厚度可控性和重復性好。
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小型磁控濺射鍍膜系統簡介
小型磁控濺射鍍膜系統適合于快速濺射鍍膜科研、教學與小批量打樣，可快速、低成本的制備多種微納米厚度的膜層。
具有一體化、占用空間小、靈活的特點，無需380V工業電，無需額外冷水機，采用無油干泵分子泵組，無需操心真空系統和操作間環境泵油污染。
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