NR9 3000P光刻膠廠家給您好的建議「多圖」

光刻是整個集成電路制造過程中耗時長、難度大的工藝，耗時占IC制造50%左右，成本約占IC生產成本的1/3。光刻膠是光刻過程重要的耗材，光刻膠的質量對光刻工藝有著重要影響。

光刻是將圖形由掩膜版上轉移到硅片上，為后續的刻蝕步驟作準備。在光刻過程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經紫外線曝光后，光刻膠的化學性質發生變化，在通過顯影后，被曝光的光刻膠將被去除，從而實現將電路圖形由掩膜版轉移到光刻膠上。再經過刻蝕過程，實現電路圖形由光刻膠轉移到硅片上。在刻蝕過程中，光刻膠起防腐蝕的保護作用。

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光刻膠的未來發展

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由于光刻膠的技術壁壘較高，國內光刻膠市場基本被國外企業壟斷。特別是高分辨率的KrF和ArF光刻膠，基本被日本和美國企業占據。  

國內光刻膠生產商主要生產PCB光刻膠，面板光刻膠和半導體光刻膠生產規模相對較小。國內生產的光刻膠中，PCB光刻膠占比94%，LCD光刻膠和半導體光刻膠占比分別僅有3%和2%。

國內光刻膠需求量遠大于本土產量，且差額逐年擴大。由于國內光刻膠起步晚，目前技術水平相對落后，生產產能主要集中在PCB光刻膠、TN/STN-LCD光刻膠等中低端產品，TFT-LCD、半導體光刻膠等高技術壁壘產品產能很少，仍需大量進口，從而導致國內光刻膠需求量遠大于本土產量。

光刻膠分類

光刻膠按其形成圖形的極性可以分為：正性光刻膠和負性光刻膠。正膠指的是聚合物的長鏈分子因光照而截斷成短鏈分子；負膠指的是聚合物的短鏈分子因光照而交鏈長鏈分子。 短鏈分子聚合物可以被顯影液溶解掉，因此正膠的曝光部分被去掉，而負膠的曝光部分被保留。

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光刻膠：半導體技術壁壘的材料之一

光刻是整個集成電路制造過程中耗時長、難度大的工藝，耗時占IC制造50%左右，成本約占IC生產成本的1/3。光刻膠是光刻過程重要的耗材，光刻膠的質量對光刻工藝有著重要影響。

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