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第三代半導體材料，主要代表碳化硅和氮化相對于前兩代半導體材料而言，在高溫、高壓、高頻的工作環境下有著明顯的優勢。

碳化硅早在1842年就被發現了，直到1955年才開發出生長碳化硅晶體材料的方法，1987年商業化生產的的碳化硅才進入市場，21世紀后碳化硅的商業應用才算鋪開。

與硅相比，碳化硅具有更高的禁帶寬度，禁帶寬度越寬，臨界擊穿電壓越大，高電壓下可以減少所需器件數目。具有高飽和電子飄逸速度，制作的元件開關速度大約是硅的3-10倍，高壓條件下能高頻操作，所需的驅動功率小，電路能量損耗低。具有高熱導率，可減少所需的冷卻系統，也更適用于高功率場景下的使用，一般的硅半導體器件只能在100℃以下正常運行，器件雖然能在200℃以上工作，但是效率大大下降，而碳化硅的工作溫度可達600℃，具有很強的耐熱性。并且混合SIC器件體積更小，工作損耗的降低以及工作溫度的上升使得集成度提高，體積減小。

在航空領域的應用

碳化硅制作成碳化硅纖維，碳化硅纖維主要用作耐高溫材料和增強材料，耐高溫材料包括熱屏蔽材料、耐高溫輸送帶、過濾高溫氣體或熔融金屬的濾布等。用做增強材料時，常與碳纖維或玻璃纖維合用，以增強金屬（如鋁）和陶瓷為主，如做成噴氣式飛機的剎車片、發動機葉片、著陸齒輪箱和機身結構材料等，還可用做體育用品，其短切纖維則可用做高溫爐材等。

碳化硅粗料已能大量供應，但是技術含量極高 的納米級碳化硅粉體的應用短時間不可能形成規模經濟。碳化硅晶片在我國研發尚屬起步階段，碳化硅晶片在國內的應用較少，碳化硅材料產業的發展缺乏下游應用企業的支撐。就人才培養和技術研發等開展密切合作；加強企業間的交流，尤其要積極參加國際交流活動，提升企業發展水平；關注企業品牌建設，努力打造企業的拳頭產品等。

除了用燒結法制造碳化硅制品以外，自從發明了熱壓燒結技術以后，碳化硅制品也可以用熱壓法制造，并且可以獲得更優良的燒結性能。熱壓工藝是把坯料的成型和燒成結合為一個過程，即坯料在高溫同時又在壓力下一次成型并燒結。這種方法在冶金工業中用于粉末冶金已有數十年的歷史，在特種耐火材料工業生產中已經逐步推廣應用。采用熱壓成型燒結，可以縮短制造時間，降結溫度，改善制品的顯微結構，增加制品的致密度，提高材料的性能。選擇適當的溫度、壓力和坯料粒度等熱壓工藝條件，就可達到優良的熱壓效果。熱壓工藝對難熔化合物的制造特別有用。熱壓用的模具因為既要經受1000℃以上的高溫，并且還要在高溫下承受數kN的壓力，因此，對制造難熔化合物制品一般均用高強度石墨作模具。