磁控濺射機(jī)公司性價(jià)比出眾【沈陽(yáng)鵬程】

小型自動(dòng)磁控濺射儀

沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專(zhuān)業(yè)磁控濺射產(chǎn)品供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰?lái)以下信息。

1. 濺射室極限真空度：≤6.6×10-6 Pa

2. 系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0×10-7Pa.l/S

3. 系統(tǒng)從大氣開(kāi)始抽氣：濺射室30分鐘可達(dá)到6.6×10-4 Pa；

4. 系統(tǒng)停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度：≤5Pa

5. 濺射真空室1套，立式上開(kāi)蓋結(jié)構(gòu)，尺寸不小于Ф300mm×300mm，全不銹鋼結(jié)構(gòu)，弧焊接，表面進(jìn)行電化學(xué)拋光，內(nèi)含防污內(nèi)襯，可內(nèi)烘烤到100～150℃，接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封，腔體內(nèi)有照明系統(tǒng)

6. 磁控濺射系統(tǒng) 3套， 提供3塊測(cè)試靶材。鍍膜不均勻度≤5%

7. 旋轉(zhuǎn)基片臺(tái) 1套，樣品臺(tái)可放置不小于100mm樣品1片，具有連續(xù)旋轉(zhuǎn)功能，旋轉(zhuǎn)0—30轉(zhuǎn)/分連續(xù)可調(diào)。基片加熱溫度：室溫—500°C連續(xù)可調(diào)，由熱電偶閉環(huán)反饋控制，加熱電源配備控溫表，控溫方式為PID自動(dòng)控溫及數(shù)字顯示

8. 觀察窗口及法蘭接口部件 1套

9. 工作氣路1套，包含：100SCCM、20SCCM質(zhì)量流量控制器、CF16截止閥、管路、接頭等共2路； DN16充氣閥、管路、接頭等2路；

10. 抽氣機(jī)組及閥門(mén)、管道 1套，包含1臺(tái)進(jìn)口復(fù)合分子泵及變頻控制電源（680L/s ，德國(guó)普發(fā)Hipace700分子泵）；1臺(tái)機(jī)械泵（4L/S） ，1臺(tái)DN40氣動(dòng)截止閥，機(jī)械泵與真空室之間的旁抽管路1套，CC150氣動(dòng)閘板閥1臺(tái)（用于復(fù)合分子泵與真空室隔離），節(jié)流閥1臺(tái)，DN40旁抽氣閥1臺(tái)，壓差式充氣閥1臺(tái)；當(dāng)金屬靶材撞向零件時(shí)由于能量轉(zhuǎn)化，與反應(yīng)氣體化合生成氮化物或氧化物。管道采用不銹鋼三通及波紋管，

11. 安裝機(jī)臺(tái)架組件 1套，由方鋼型材焊接成，快卸圍板表面噴塑處理，機(jī)臺(tái)表面用不銹鋼蒙皮裝飾，四只腳輪，可固定，可移動(dòng)。

雙靶磁控濺射鍍膜機(jī)的特點(diǎn)有哪些？

沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)、銷(xiāo)售磁控濺射產(chǎn)品，以下信息由沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供。

產(chǎn)品特點(diǎn)

1：此款鍍膜儀配置有兩個(gè)靶槍?zhuān)阂粋€(gè)靶槍配套的是射頻電源，用于非導(dǎo)電靶材的濺射鍍膜；一個(gè)靶槍配套的是直流電源，用于導(dǎo)電材料的濺射鍍膜

2：該鍍膜儀可以制備多種不同材料的薄膜，應(yīng)用非常廣泛。

3：該鍍膜儀體積較小，且配備有觸摸屏控制面板，操作方便。

磁控濺射介紹

沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)、銷(xiāo)售磁控濺射產(chǎn)品，我們公司堅(jiān)持用戶為上帝，想用戶之所想，急用戶之所急，以誠(chéng)為本，講求信譽(yù)，以產(chǎn)品求發(fā)展，以質(zhì)量求生存，我們熱誠(chéng)地歡迎各位同仁合作共創(chuàng)輝煌。

由于被濺射原子是與具有數(shù)十電子伏特能量的正離子交換動(dòng)能后飛濺出來(lái)的，因而濺射出來(lái)的原子能量高，有利于提高沉積時(shí)原子的擴(kuò)散能力，提高沉積組織的致密程度，使制出的薄膜與基片具有強(qiáng)的附著力。

濺射時(shí)，氣體被電離之后，氣體離子在電場(chǎng)作用下飛向接陰極的靶材，電子則飛向接地的壁腔和基片。這樣在低電壓和低氣壓下，產(chǎn)生的離子數(shù)目少，靶材濺射效率低；而在高電壓和高氣壓下，盡管可以產(chǎn)生較多的離子，但飛向基片的電子攜帶的能量高，容易使基片發(fā)熱甚至發(fā)生二次濺射，影響制膜質(zhì)量。另外，靶材原子在飛向基片的過(guò)程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加，因而被散射到整個(gè)腔體，既會(huì)造成靶材浪費(fèi)，又會(huì)在制備多層膜時(shí)造成各層的污染。本產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于觸摸屏ITO鍍膜、LCD顯示屏ITO鍍膜、薄膜太陽(yáng)能電池背電極及AZO鍍膜、彩色濾光片鍍膜、電磁屏蔽玻璃鍍膜、AR鍍膜、裝飾鍍膜等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。