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多源有機無機蒸發?系統電阻熱蒸發真空鍍膜機廠家

多源有機無機蒸發系統

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主要用途：

用于納米級單層及多層金屬膜、 半導體膜等新材料的制備。廣泛應用 于大專院校的薄膜材料科研。

系統組成:

由真空室、蒸發源、樣品臺、 真空測量、膜厚測試、電控系統組成。

技術指標：

極限真空度5.0×10-5Pa，系統漏率：1×10-7PaL/S； 恢復真空時間：40分鐘可達6.6×10 Pa

真空室：D形真空室，尺寸350× 380mm 

樣品臺：尺寸為4英寸厚度3mm的平面樣品；

電極：數量：4支水冷結構；直徑Φ20㎜

樣品基片:，基片在鍍膜位置實現自轉。基片的溫度從室溫至600℃

4套擋板系統：基片擋板與源擋板；靶擋板共有3套， 樣品擋板（１套）

石英晶振膜厚控制儀：膜厚測量范圍0-999999? 

可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統。

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鈣鈦礦鍍膜設備

以下內容由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供，今天我們來分享電阻熱蒸發鍍膜產品的相關內容，希望對同行業的朋友有所幫助！

設備用途 ：

適用于制備金屬單質薄膜、半導體薄膜、氧化物薄膜、有機薄膜等，可用于科研單位進行新材料、新工藝薄膜研究工作，也可用于大批量生產前的試驗工作。廣泛應用于有機、無機、鈣鈦礦薄膜太陽能電池、OLED等研究領域

設備組成：

該設備主要由沉積室、真空排氣系統、真空測量、蒸發源、樣品加熱、電控系統、等部分組成。

      1、鍍膜室：方形前后開門結構，內帶有防污板。

      2、真空度：鍍膜室的極限真空≤5×10-5Pa；

      3、蒸發源系統：有機源蒸發源4個，無機蒸發源2套

      4、樣品架系統：樣品大小為Φ150mm的樣品，旋轉速度為：0～30轉/分；

      5、樣品在鍍膜過程中，可烘烤加熱，加熱溫度為：室溫～190℃，測溫控溫。

      6、膜厚控制儀：測量范圍0-999999?