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電容器在電源中的應(yīng)用之浪涌電壓保護(hù)

可靠性高，體積小，充放電壽命長(zhǎng)，電壓高達(dá)150kV，放電電流大，介質(zhì)損耗＜0.1%。

開(kāi)關(guān)頻率很高的現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件易受潛在的損害性電壓尖峰脈沖的影響。跨接在功率半導(dǎo)體器件兩端的浪涌電壓保護(hù)電容器（如EPCOSB32620-J或B32651..56）通過(guò)吸收電壓脈沖限制了峰值電壓，從而對(duì)半導(dǎo)體器件起到了保護(hù)作用，使得浪涌電壓保護(hù)電容器成為功率元件庫(kù)中的重要一員。半導(dǎo)體器件的額定電壓和電流值及其開(kāi)關(guān)頻率左右著浪涌電壓保護(hù)電容器的選擇。由于這些電容器承受著很陡的DV/DT值，因此，對(duì)于這種應(yīng)用而言，薄膜電容器是恰當(dāng)之選。電容可用來(lái)減少紋波并吸收開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器產(chǎn)生的噪聲，它還可以用于后級(jí)穩(wěn)壓，提高設(shè)備的穩(wěn)定性和瞬態(tài)響應(yīng)能力。

在額定電壓值高達(dá)2000VDC的條件下，典型的電容額定值在470PF～47NF之間。對(duì)于大功率的半導(dǎo)體器件，如IGBT，電容值可高達(dá)2.2ΜF(xiàn)，電壓在1200VDC的范圍內(nèi)。不能僅根據(jù)電容值/電壓值來(lái)選擇電容器。在選擇浪涌電壓保護(hù)電容器時(shí)，還應(yīng)考慮所需的DV/DT值。耗散因子決定著電容器內(nèi)部的功率耗散。因此，應(yīng)選擇一個(gè)具有較低損耗因子的電容器作為替換。為提高圖像分辨率，MRI系統(tǒng)的磁場(chǎng)水平不斷提高，而MRI室內(nèi)使用的電容會(huì)造成磁場(chǎng)畸變。

電容器在yilao器械中選型及應(yīng)用一

開(kāi)關(guān)電源中的電容

電氣醫(yī)1療器械中，需要對(duì)電源進(jìn)行的控制和調(diào)節(jié)，才能支持設(shè)備執(zhí)行每一功能。交、直流電源均被廣泛應(yīng)用于這些場(chǎng)合。開(kāi)關(guān)電源用于對(duì)這些電源進(jìn)行控制，由于具有顯著優(yōu)點(diǎn)，開(kāi)關(guān)電源已成為大部分電子產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)電源。

電容可用來(lái)減少紋波并吸收開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器產(chǎn)生的噪聲，它還可以用于后級(jí)穩(wěn)壓，提高設(shè)備的穩(wěn)定性和瞬態(tài)響應(yīng)能力。電源輸出中不應(yīng)出現(xiàn)任何紋波噪聲或殘留抖動(dòng)。這些電路常采用鉭電容來(lái)降低紋波，但鉭電容有可能受到開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的噪聲影響而產(chǎn)生不安全的瞬變現(xiàn)象。

為保證可靠工作，必須降低鉭電容的額定電壓。例如，額定值為10uF/35V的D型鉭電容，工作電壓應(yīng)降低到17V，如果用在電源輸入端過(guò)濾紋波，額定35V鉭電容可在高達(dá)17V的電壓導(dǎo)軌上可靠地工作。

高壓電源總線系統(tǒng)一般很難達(dá)到額定電壓降低50%的指標(biāo)。這種情況限制了鉭電容用于電壓導(dǎo)軌大于28V的應(yīng)用。目前，由于鉭電容需要被降額使用，高壓濾波應(yīng)用唯1可行的辦法是采用體積較大且?guī)б€的電解電容，而不是鉭電容。

電容器在yilaio器械中選型及應(yīng)用

高壓電弧防護(hù)電容解決方案

為解決這一問(wèn)題，Vishay推出了一系列的HVArc(高壓電弧)防護(hù)MLCC(多層貼片陶瓷電容)，可防止電弧放電，同時(shí)節(jié)省空間。這些新器件在較高的電壓定額內(nèi)具有較大容量，并且提高了電壓擊穿的耐受能力。高壓電弧放電會(huì)造成斷路，并有可能損壞其他元器件。標(biāo)準(zhǔn)的高壓SMD電容終將會(huì)失效短路，這取決于電弧放電的次數(shù)和存在問(wèn)題的部分。Vishay HVArc防護(hù)電容可以吸收所有的能量，因此，此電容能夠在高壓下進(jìn)行正常工作，至少在達(dá)到高壓擊穿極限之前，不會(huì)產(chǎn)生破壞性電弧放電。高壓電弧防護(hù)電容解決方案為解決這一問(wèn)題，Vishay推出了一系列的HVArc(高壓電弧)防護(hù)MLCC(多層貼片陶瓷電容)，可防止電弧放電，同時(shí)節(jié)省空間。

HVArc防護(hù)電容的VBD分布由器件采用的獨(dú)特設(shè)計(jì)來(lái)控制，VBD可達(dá)3kV或以上。本產(chǎn)品采用了NPO和X7R電介質(zhì)。