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    湖北光刻膠供應商價格合理「多圖」

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    發布時間:2020-07-15 19:21  






    光刻膠概況

    以下內容由賽米萊德為您提供,今天我們來分享光刻膠的相關內容,希望對同行業的朋友有所幫助!

    光刻膠又稱光致抗蝕劑,是光刻工藝的關鍵化學品,主要利用光化學反應將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上,被廣泛應用于光電信息產業的微細圖形線路的加工制作,下游主要用于集成電路、面板和分立器件的微細加工,同時在 LED、光伏、磁頭及精密傳感器等制作過程中也有廣泛應用,是微細加工技術的關鍵性材料。光刻膠的主要成分為樹脂、單體、光引發劑及添加助劑四類。其中,樹脂約占 50%,單體約占35%,光引發劑及添加助劑約占15%。



    光刻膠的概述  

    光刻膠也稱為光致抗蝕劑,是一種光敏材料,它受到光照后特性會發生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉移到晶圓片上。

    光刻膠有正膠和負膠之分。正膠經過曝光后,受到光照的部分變得容易溶解,經過顯影后被溶解,只留下未受光照的部分形成圖形;而負膠卻恰恰相反,經過曝光后,受到光照的部分會變得不易溶解,經過顯影后,留下光照部分形成圖形。

    負膠在光刻工藝上應用早,其工藝成本低、產量高,但由于它吸收顯影液后會膨脹,導致其分辨率(即光刻工藝中所能形成圖形)不如正膠,因此對于亞微米甚至更小尺寸的加工技術,主要使用正膠作為光刻膠。


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    光刻膠:半導體技術壁壘較高的材料之一

    光刻是整個集成電路制造過程中耗時長、難度大的工藝,耗時占IC制造50%左右,成本約占IC生產成本的1/3。光刻膠是光刻過程重要的耗材,光刻膠的質量對光刻工藝有著重要影響。

    光刻是將圖形由掩膜版上轉移到硅片上,為后續的刻蝕步驟作準備。在光刻過程中,需在硅片上涂一層光刻膠,經紫外線曝光后,光刻膠的化學性質發生變化,在通過顯影后,被曝光的光刻膠將被去除,從而實現將電路圖形由掩膜版轉移到光刻膠上。再經過刻蝕過程,實現電路圖形由光刻膠轉移到硅片上。在刻蝕過程中,光刻膠起防腐蝕的保護作用。

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    光刻膠的作用有什么?



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