耐高溫晶振封裝尺寸誠信企業

KOAN晶體如需減小驅動功率，可以采取以下措施: 增加阻尼電阻或減小外部負載電容。增加阻尼電阻反相放大器的輸出幅度將會減小，實際驅動功率也將減小。振蕩幅度也隨之減小。但應保證振蕩裕量超過 Re 的 5 倍；減小外部負載電容，振蕩電路阻抗將會增加，實際驅動功率將會減小。而負載電容減小，實際振蕩頻率將會增加，如果震蕩頻率超出使用范圍，可考慮低負載晶體配合調整。

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KOAN 晶體諧振器如何選用合適的振蕩 IC

振蕩 IC 制造商的差異造成電路常數差異，以及電路配置的差異，可能會對晶體單元的振蕩產生一定的影響。振蕩電路的工作頻率如果不在晶體諧振器標稱頻率范圍內，稱為“不規則振蕩”，調整阻尼電阻和外部負載電容，可以減少不規則振蕩發生的幾率。或者使用裝有單個 C-MOS 的逆變器 (也稱為“非緩沖型”逆變器)。

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晶體諧振器的主要技術指標介紹

標稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的

頻率準確度：振蕩器輸出頻率在室溫(25℃±2℃)下相對于標稱頻率的偏差。

調整頻差：在特定溫度范圍內振蕩器輸出頻率相對于25℃時測量值的較大允許頻率偏差。

負載諧振頻率（fL）：在規定條件下，晶體與一負載電容相串聯或相并聯,其組合阻抗呈現為電阻性時（產生諧振）的兩個頻率中的一個頻率。在串聯負載電容時，負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。

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