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發布時間：2020-11-10 17:17
光刻工藝重要性二
光刻膠的曝光波長由寬譜紫外向g線→i線→KrF→ArF→EUV(13.5nm)的方向移動。隨著曝光波長的縮短，光刻膠所能達到的極限分辨率不斷提高，光刻得到的線路圖案精密度更佳，而對應的光刻膠的價格也更高。
光刻光路的設計，有利于進一步提升數值孔徑，隨著技術的發展，數值孔徑由0.35發展到大于1。相關技術的發展也對光刻膠及其配套產品的性能要求變得愈發嚴格。
工藝系數從0.8變到0.4，其數值與光刻膠的產品質量有關。結合雙掩膜和雙刻蝕等技術，現有光刻技術使得我們能夠用193nm的激光完成10nm工藝的光刻。
為了實現7nm、5nm制程，傳統光刻技術遇到瓶頸，EUV(13.5nm)光刻技術呼之欲出，臺積電、三星也在相關領域進行布局。EUV光刻光路基于反射設計，不同于上一代的折射，其所需光刻膠主要以無機光刻膠為主，如金屬氧化物光刻膠。
NR77-15000P
9，去膠:濕法去膠，用溶劑、用NONG硫酸。據WitsView數據，雖然近三年國際LCD廠商面板出貨量有所下降，但是由于大屏顯示的市場擴增，LCD整體出貨面積變大，2016年出貨總面積達到1。負膠，98%H2SO4 H2O2 膠=CO CO2 H2O,正膠：BIN酮,干法去膠（ash）氧氣加熱去膠O2 膠=CO CO2 H2O,等離子去膠Oxygenplasma ashing,高頻電場O2---電離O- O , O 活性基與膠反應CO2，CO， H2O, 光刻檢驗
NR9-1000py
問題回饋：
1．我們是LED制造商，麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。
A 據我所知，Futurrex
有幾款膠很，NR7-1500P
NR7-3000P是專門為離子蝕刻
設計的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應用。
2．請問有沒有可以替代goodpr1518，Micropure去膠液和goodpr顯影液的產品？
A 美國光刻膠，Futurrex
正膠PR1-2000A
, 去膠液RR4，和顯影液RD6可以解決以上問題。
3．你們是否有可以替代Shipley
S1805的用于DVD的應用產品？
A 我們建議使用Futurrex
PR1-500A , 它有幾個優點：比較好的解析度，比較好的線寬控制，
反射比較少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~
4． 求助，耐高溫的光阻是那一種？
A Futurrex, NR7 serious(負光阻)Orpr1 serious(正光阻)，再經過HMCTS
silyiation process,可以達到耐高溫200度，PSPI透明polyimide,可耐高溫250度以上。
5．厚膜光阻在鍍金應用上，用哪一種比較理想？
A Futurrex , NR4-8000P比干膜，和其他市面上的濕膜更加適合，和理想。
6．請教LIFT-OFF制程哪一種光阻適合？
A 可以考慮使用Futurrex
，正型光阻PR1，負型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。
7．請問，那位專家知道，RIE
Mask,用什么光阻比較好？
A 正型光阻用PR1系列，負型光阻使用NR5，兩種都可以耐高溫180度。
8．一般厚膜制程中，哪一種光阻適合？
A NR9-8000P有很高的深寬比（超過4：1），一般厚膜以及，MEMS產品的高需求。
9．在DEEP
RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P嗎？
A 建議不使用，因為使用NR5-8000更加理想和適合。
10．我們是OLED，我們有一種制程上需要一層SPACER，那種光阻適合？
A 有一種膠很適合，美國Futurrex
生產的NR1-3000PY
and和
NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers
