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    封裝用IGBT測試儀廠家全國發貨 華科靜態參數IGBT

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    發布時間:2020-07-22 09:15  

    IGBT測試裝置技術要求 (1)設備功能 IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態參數測試。系統的測試原理符合相應的國家標準,系統為獨立式單元,封閉式結構,具有升級擴展潛能。 IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態參數測試,在IGBT的檢測中,采用大電流脈沖對IGBT進行VCE飽和壓降及續流二極管壓降的檢測。若元件的工作條件超過其參數數據,元件可能會立刻燒毀或造成性的損壞。為提供穩定的大電流脈沖,采用了支撐電容補償及步進充電的方法,解決IGBT進行VCE飽和壓降及續流二極管壓降的檢測問題。


    3、系統基本參數

    3.1 電 壓 源:220VAC ±10% ,50Hz/60Hz 20A RMS;

    3.2 加熱功能:室溫~150℃;

    3.3 測試功能:可測試IGBT模塊及FRD;

    3.4 環境溫度:25℃±15℃;

    3.5 環境濕度:50% ±20% (相對濕度)

    4、動態測試基本配置

    4.1 集電級電壓 Vcc: 50 ~ 1000V;

    4.2 集電極電流 Ic: 50 ~ 1000A 感性負載;

    4.3 電流持續時間 It: 10 ~ 1000 us 單個脈沖或雙脈沖的總時間; 4.4 脈 沖 模 式: 單脈沖和雙脈沖;

    4.5 單電流脈沖的設置: Vcc,Ic, 電感值(自動計算脈寬);

    4.6 雙電流脈沖的設置: Vcc, Ic, 電感值,間隙時間(10到50us)(脈寬自動計算);

    (開啟Qrr測試:第二個脈寬=間隙時間,10~50us);

    4.7 設備寄生電感 Lint: < 65nH(感性動態測試)。


    5、感性負載

    5.1 有效電感 L 100 200 500 1000 μH;

    5.2 電流 Ic 1000 1000 1000 500 A;

    外部電感成陣列的內部連接。(外部電感的H值傳給PC,以計算電流源的極限,限制脈寬到1000us)。

    6、標準的雙控制極驅動

    6.1 門極電阻可人工預先設定如:2.5Ω,5Ω,10Ω等;

    6.2 開啟(Trun-ON)輸出電壓 Vge : 15V;

    6.3 關斷(Trun-ON)輸出電壓 Vge- : -15V;

    6.4 脈寬: 10 ~ 1000us (單脈沖、雙脈沖總時間);

    6.5 電壓開關時間: < 50ns;

    6.6 輸出內阻: < 0.5Ω;


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