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光刻膠的相關信息

利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。基于感光樹脂的化學結構，光刻膠可以分為三種類型。

光聚合型采用烯類單體，在光作用下生成自由基，自由基再進一步引發單體聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特點。光分解型采用含有疊氮醌類化合物的材料，經光照后,會發生光分解反應,由油溶性變為水溶性，可以制成正性膠。光交聯型采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發生交聯，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，這是一種典型的負性光刻膠。柯達公司的產品KPR膠即屬此類。

光刻膠的作用

光刻開始于-種稱作光刻膠的感光性液體的應用。 圖形能被映射到光刻膠上，然后用一個developer就能做出需 要的模板圖案。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是以智能

管感光材料，在光的照射與溶解度發生變化。

光刻膠成份

光刻膠通常有三種成分:感光化臺物、基體材料和溶劑。在感光化臺物中有時還包括增感劑。根據光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類:負性光刻膠和

正性光刻膠。

1、負性光刻膠

主要有聚酸系(聚酯膠)和環化橡膠系兩大類

2、正性光刻膠

主要以重氮醒為感光化臺物，以酚醛樹脂為基體材料。正膠的主要優點是分辨率高，缺點是靈敏度、耐刻蝕性和附著性等較差。

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   光刻膠的主要技術參數

1．靈敏度（Sensitivity）

靈敏度是衡量光刻膠曝光速度的指標。光刻膠的靈敏度越高，所需的曝光劑量越小。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。

2．分辨率（resolution）

區別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。

光刻膠的分辨率是一個綜合指標，影響該指標的因素通常有如下3個方面：

(1) 曝光系統的分辨率。

(2) 光刻膠的對比度、膠厚、相對分子質量等。一般薄膠容易得到高分辨率圖形。

(3) 前烘、曝光、顯影、后烘等工藝都會影響光刻膠的分辨率。  

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