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發布時間：2020-07-29 02:12
氧化鋯(YSZ)單晶基片是zui早應用于高溫超導薄膜的材料之一。一般使用的氧化鋯需要摻入釔作為穩定劑,常見濃度有13 mol%,YSZ具有機械和化學穩定性好、成本低的特點。
氧化鋯(YSZ)晶體產品規格：常規晶向：<100>, <110>, <111>；晶向公差：±0.5°；常規尺寸：dia2'x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm；拋光情況：單拋或雙拋，Ra<5A。注：可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。
氧化鋯由于ZrO2單晶需摻入釔（Y）以穩定其結構， 一般實際使用的是YSZ單晶――加入釔穩定劑（含量約19%）的氧化鋯單晶。它機械、化學穩定性好，價格較低因而得以廣泛應用。單晶氧化鋯（YSZ）陶瓷材料因其高強度、高硬度、耐腐蝕、耐高溫而被認為是具有廣泛應用前景的新型陶瓷。它作為一種重要的快離子導體，在氧傳感器、氧泵浦、固體氧化物燃料電池已得到廣泛應用和研究。
在高溫下 ，氧化鋯屬于立方螢石型結構，因為Zr4 直徑大于O2-離子直徑，所以可以認為，由Zr4 構成面心立方點陣，占據1/2的八面體空隙，O2-離子占據面心立方點陣所有四個四面體空隙。常溫下， 氧化鋯只能是單斜相，當用鋯鹽煅燒，達到650℃時，出現穩定的四方相，繼續升高時四方相逐步轉變為單斜相，再繼續升溫至830℃時， 氧化鋯又開始向四方相轉變，至1170℃時，完全轉變為四方相，溫度升至2370℃時轉變為立方相.
