封裝用IGBT測試儀批發按需定制 華科IGBT測試臺

主要參數 測試范圍 精度要求 測試條件

Vce

集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V； 150～3300V

Ic

集射極電流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A

Vge

柵極電壓 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；

0～ 30V±1%±0.1V -30V～30V

Qg

柵極電荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

開通/關斷延遲 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降時間 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

開通/關斷能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；

表格12動態參數測試部分組成

序號 組成部分 單位 數量

1 可調充電電源 套 1

2 直流電容器 個 8

3 動態測試負載電感 套 1

4 安全工作區測試負載電感 套 1

5 補充充電回路限流電感L 個 1

6 短路保護放電回路 套 1

7 正常放電回路 套 1

8 高壓大功率開關 個 5

9 尖峰抑制電容 個 1

10 主回路正向導通晶閘管 個 2

11 動態測試續流二極管 個 2

12 安全工作區測試續流二極管 個 3

13 被測器件旁路開關 個 1

14 工控機及操作系統 套 1

15 數據采集與處理單元 套 1

16 機柜及其面板 套 1

17 壓接夾具及其配套系統 套 1

18 加熱裝置 套 1

19 其他輔件 套 1

14）工控機及操作系統

用于控制及數據處理，采用定制化系統，主要技術參數要求如下：

?機箱：4Μ 15槽上架式機箱；

?支持ATX母板；

?CPΜ：INTEL雙核；

?主板：研華SIMB；

?硬盤：1TB；內存4G；

?3個5.25”和1個3.5”外部驅動器；

?集成VGA顯示接口、4個PCI接口、6個串口、6個ΜSB接口等。

?西門子PLC邏輯控制

15）數據采集與處理單元

用于數據采集及數據處理，主要技術參數要求如下：

?示波器;高壓探頭：滿足表格4-11動態參數、短路電流、安全工作區測試需求

?電流探頭：滿足表格4-11動態參數、短路電流、安全工作區測試需求

?狀態監測：NI數據采集卡

?上位機：基于Labview人機界面

?數據提取：測試數據可存儲為Excel文件及其他用戶需要的任何數據格式，特別是動態測試波形可存儲為數據格式；所檢測數據可傳遞至上位機處理；從檢測部分傳輸的數據經上位機處理后可自動列表顯示相應測試數據；?數據處理和狀態檢測部分內容可擴展