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直流等離子體化學氣相沉積（DC-PCVD）

DC-PCVD是利用高壓直流負偏壓（-1～-5kV），使低壓反應氣體發生輝光放電產生等離子體，等離子體在電場作用下轟擊工件，并在工件表面沉積成膜。

直流等離子體比較簡單，工件處于陰極電位，受其外形、大小的影響，使電場分布不均勻，在陰極四周壓降，電場強度，正由于有這一特點，所以化學反應也集中在陰極工件表面，加強了沉積效率，避免了反應物質在器壁上的消耗。缺點是不導電的基體或薄膜不能應用。由于陰極上電荷的積累會排斥進一步的沉積，并會造成積累放電，破壞正常的反應。

濺射是物理氣相沉積技術的另一種方式，有人要問了濺射工藝是怎么實現的呢？

濺射的過程是由離子轟擊靶材表面，使靶材材料被轟擊出來的技術。整個過程是在真空腔體中完成的。濺射開始時將氣充入真空腔體中形成低壓氣氛圍，再通過使用高電壓，產生輝光放電，加速離子到靶材表面。離子將靶材材料從表面轟擊（濺射）出來，在靶材前面的被涂層工件上沉積下來，這整個過程就好像是在打臺球。

有時將此方法用作預涂層，目的是提高基材的耐久性，減少摩擦并改善熱性能-這意味著人們可以在同一涂層中結合PVD和CVD層等沉積方法。

在數學建模和數值模擬方面也有大量研究有助于改善此過程，這可能是優于其他過程的優勢。這些研究對改善反應堆的特性有很大的影響，從而導致未來的成本降低，以及對薄膜機械性能的改善。

由于磁控濺射技術的發展將集中在未來對這些特定反應器的改進上，因此這項工作已成為主要重點。

關于濺射工藝，在使用磁控濺射工藝的同時施加幾種材料的精細層。該真空鍍膜工藝的原材料采用靶材的形式。在濺射過程中，將磁控管放置在靶材附近。然后，在真空室中引入惰性氣體，該惰性氣體通過沿磁控管的方向在靶和基板之間施加高電壓而加速，從而從靶中釋放出原子尺寸的顆粒。這些粒子是由于氣體離子傳遞的動能而投射出來的，這些離子已經到達目標并到達基板并形成固體薄膜。該技術可以將表面上先前存在的污染物從表面上清除掉，這是通過反轉基材和目標之間的電壓極性