陜西封裝用IGBT測(cè)試儀廠家量大從優(yōu)

3、技術(shù)指標(biāo) * 3.1 機(jī)臺(tái)可測(cè)試器件類(lèi)型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3.2 機(jī)臺(tái)可測(cè)IGBT項(xiàng)目 及測(cè)試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導(dǎo)通電壓 可以測(cè)5000V,1600A以下的IGBT模塊 * 3.3 機(jī)臺(tái)可測(cè)MOS項(xiàng)目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs 3.4 測(cè)試項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)試條件與精度 * 3.5 VGE(th) 柵極閾值電壓 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V；優(yōu)勢(shì)行業(yè)：電力設(shè)備、地鐵、鐵路動(dòng)力車(chē)組和運(yùn)用大功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行設(shè)計(jì)、制造的行業(yè)。 解析度：0.01V 集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；

參數(shù)名稱(chēng) 符號(hào) 參數(shù)名稱(chēng) 符號(hào)

開(kāi)通延遲時(shí)間 td(on) 關(guān)斷延遲時(shí)間 td(off)

上升時(shí)間 tr 下降時(shí)間 tf

開(kāi)通時(shí)間 ton 關(guān)斷時(shí)間 toff

開(kāi)通損耗 Eon 關(guān)斷損耗 Eoff

柵極電荷 Qg

短路電流 ISC / /

可測(cè)量的FRD動(dòng)態(tài)參數(shù)

反向恢復(fù)電流 IRM 反向恢復(fù)電荷 Qrr

反向恢復(fù)時(shí)間 trr 反向恢復(fù)損耗 Erec

產(chǎn)品主要有電力半導(dǎo)體器件、組件、模塊（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶閘管及功率整流管等）的檢測(cè)及可靠性設(shè)備，電氣自動(dòng)化設(shè)備，電冶、電化學(xué)裝置，電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高、中、低頻感應(yīng)加熱電源、感應(yīng)加熱爐，晶閘管高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅(qū)動(dòng)器、遠(yuǎn)距離光電轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng)、光電脈沖觸發(fā)板、IGBT的智能高壓驅(qū)動(dòng)板等。5包裝、標(biāo)志和運(yùn)輸 賣(mài)方負(fù)責(zé)整套設(shè)備的包裝和運(yùn)輸，并負(fù)擔(dān)由此產(chǎn)生的費(fèi)用。