大功率IGBT測試儀價格推薦廠家,華科動態參數IGBT

測量目的：對模塊的電壓降參數進行檢測, 可判斷模塊是否處于正常狀態。因此，測量大電流情況下的各個模塊實際技術參數，進行跟蹤管理，可有效保障機車中間直流環節可靠運行。 功率模塊的VCE-IC特性曲線會隨著器件使用年限的增加而變化，飽和壓降Vcesat會逐漸劣化。因此，定期檢測可預防發現功率模塊故障。且變流器由多個模塊組成，由于個體差異，大電流情況下的參數也會存在個體差異。因此，測量大電流情況下的各個模塊實際技術參數，進行跟蹤管理，可有效保障機車中間直流環節可靠運行。 IGBT模塊VCE-IC特線（單管），Vcesat隨電流變大而增大。

IGBT半導體器件測試系統的主要應用領域概括如下：

?半導體元器件檢測中心——應用本公司測試系統可擴大檢測中心的檢測范圍、提高檢測效率，提升檢測水平，增加經濟效益；

?半導體元器件生產廠 —— 應用本公司測試系統可對半導體元器件生產線的成品進行全參數的測試、篩選、分析，以確保出廠產品的合格率；

?電子電力產品生產、檢修廠——應用本公司測試系統可對所應用到的半導體元器件，尤其對現代新型IGBT大功率器件的全參數進行智能化測試、篩選、分析，以確保出廠產品的穩定性、可靠性；

?航天、領域 ——— 應用本公司測試系統可對所應用到的元器件，尤其對現代新型IGBT大功率器件的全參數進行智能化測試、篩選、分析，以確保出廠產品的穩定性、可靠性；

2.3柵極電荷技術條件 測試參數： 柵極電荷Qg：20nC～100uC 20nC～100nC±5%，分辨率±1nC 100nC～500nC±5%，分辨率±5nC 500nC～2uC±5%，分辨率±10nC 2uC～10uC±5%，分辨率±50nC 10uC～100uC±5%，分辨率±100nC 測試條件： 1、柵極驅動電壓：-15V～ 15V±3%，分辨率±0.1V 2、集電極電流：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A; 500～1000A±3%±5A; 3、集電極電壓：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 4、柵極驅動電流：滿足5A以下測試要求